“厦门力气”助推第三代半导体技能立异

  厦门日报讯（记者 林露虹）2024年度我国第三代半导体技能十大开展近来发布，其间三项效果有厦门企业、高校的身影，显现厦门开展第三代半导体工业的质量和成色。

  这些技能开展，是在姑苏举办的“第十届世界第三代半导体论坛暨第二十一届我国世界半导体照明论坛”上揭晓的。大会程序委员会表明，这些技能开展不只代表了第三代半导体职业的技能前沿，也预示着工业高质量开展的新方向。

  作为第三代半导体的要害应用范畴，Micro-LED具有高亮度、长寿命、低功耗等特色，被认为是下一代干流显现技能。此次发布的技能开展中，与Micro-LED相关的效果备受重视。

  其间，南京大学、厦门大学、合肥工业大学等高校联合攻关“氮化镓基高铟组分红光资料及其Micro-LED器材技能”，并进一步与厦门未来显现研究院、天马微电子公司协作，一起研制出世界上第一块根据铟镓氮基红绿蓝Micro-LED芯片的1.63寸、像素密度达403PPI的TFT驱动全彩显现屏，完成了Micro-LED全彩显现计划的新技能验证。

  现在，市面上惯例的Micro-LED显现屏，蓝光和绿光芯片用铟镓氮资料制造，而红光芯片选用铝铟镓磷资料，高温环境会呈现显现屏幕偏蓝等问题。初次成功用铟镓氮资料制备的红光芯片开宣布的全彩显现屏，证明了全氮化物显现技能的可行性，为未来新式显现技能供给了新的全彩技能计划。

  十大技能开展中，“高功率密度、高能效比深紫外Micro-LED显现芯片”，由思坦科技参加联合攻关的严重立异项目根据高功率AlGaN（铝镓氮）深紫外Micro-LED显现的无掩膜光刻研制技能制成。

  光刻技能是集成电路制造的“心脏”，在传统光刻过程中，掩膜版的制造和替换本钱高，光刻功率也遭到多重约束。思坦科技研制的高功率AlGaN深紫外Micro-LED技能，使用无掩膜光刻的办法，不只处理了半导体制造中的要害技能瓶颈，还供给了一条制造本钱更低、曝光功率更加高的处理计划。这项研究效果，于本年10月在世界威望学术期刊 Nature Photonics（《天然光子学》）上宣布。

  思坦科技是业界最早研制Micro-LED的企业之一，其在厦门火炬高新区建造的国内首条Micro-LED单片键合生产线月点亮投产。

  十大技能开展还说到，我国“氮化镓基蓝光激光器要害技能获得工业化打破”，包含三安光电在内的多家企业推出了蓝光激光器产品。

  氮化镓基蓝光激光器具有驱动能耗低、输出能量大、体积小、稳定性很高的特色，可应用于显现、资料加工、通讯、光存储、医疗、生物科学等范畴。

  据悉，三安光电与厦门大学长时间协作，推动产学研协同立异，两边联合研制的超8瓦大功率InGaN（氮化铟镓）蓝光激光器规划和制造达到了世界先进水平。

  以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体，被称为“未来电子工业的柱石”，在新能源轿车、智能电网、轨道交通、半导体照明、消费类电子等范畴具有广泛应用。

  近年来，厦门加快布局第三代半导体工业，经过培养工业生态、强化龙头带动、加大研制投入，继续招大引强等多措并重，已集聚士兰微、瀚天天成、三安光电等一批头部企业，开始构建了打造第三代半导体工业重镇的生态系统。作为厦门半导体与集成电路工业的首要承载地，厦门火炬高新区已构成功率半导体、射频半导体和光电半导体等3个子工业链（群），曾荣获2022年度“第三代半导体最具竞争力工业园区”。